Forum electricity University of Torbat

انجمن علمی برق دانشگاه تربت حیدریه

Forum electricity University of Torbat

انجمن علمی برق دانشگاه تربت حیدریه

به وبلاگ انجمن برق دانشگاه تربت حیدریه خوش آمدید.
Forum electricity University of Torbat

انجمن علمی برق دانشگاه تربت حیدریه

تئوری بودن مطالب درسی در دانشگاه و سنگین بودن مباحث باعث شده است که یک دانشجوی مهندسی برق کم تر فرصت تحقیق در زمینه های تخصصی خود را داشته باشد چرا که این امر نیازمند زمان بسیار و همچنین افرادی قابل اعتماد است.
وبلاگ انجمن علمی برق دانشگاه تربت حیدریه با کمک دانشجویان فارغ التحصیل، کار آفرینان موفق، اساتید مجرب به عنوان مشاوران متخصص برق میتواند آنچه دانشجویان علاوه بر تئوریک محض نیاز دارند برآورده سازد.
این وبلاگ سعی دارد با هدف افزایش اطلاعات عمومی افراد در زمینه برق، آشنایی و ارتباط دانشجویان با صنعت و همچنین آموزش آنچه یک مهندس برق برای وارد شدن به بازار کار نیاز دارد گامی هرچند کوچک ، در راستای تربیت نیروی کار آماده باشد.

آخرین نظرات
  • ۲۴ ارديبهشت ۰۱، ۰۸:۲۵ - Ali
    ممنون.
  • ۸ ارديبهشت ۹۹، ۱۱:۱۷ - mnr
    تشکر

بر کسی پوشیده نیست که دنیای امروزی به شدت بر تراشه‌های دیجیتال و پردازنده‌ها متکی است و روز به روز نیاز برای قدرت پردازشی بیشتر آنهم با مصرف انرژی کمتر بیشتر می‌شود. با اینکه می‌توان با گنجاندن تعداد بیشتری ترانزیستور در تراشه‌ها، به قدرت پردازشی بیشتری دست پیدا کرد، اما با این کار، انرژی مصرفی تراشه افزایش می‌یابد. اکنون پژوهشگران ترانزیستورهایی را ابداع کرده‌اند که می‌تواند دنیا را متحول کند.

پژوهشگرانی از دانشگاه سانتا باربارا کالیفرنیا و دانشگاه رایس، ترانزیستوری را طراحی کرده‌اند که برای سویچ کردن، به ولتاژ بسیار ناچیز 0.1 ولت نیاز دارد. این ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی یا به اختصار TFET، می‌توانند میزان مصرف انرژی در تمامی وسائل دیجیتال پیرامون ما را، از ساعت‌های مچی تا گوشی‌های موبایل و لپ‎تاپ، تا 90 درصد نسبت به ماسفت‌های فعلی کاهش دهند. مشکلی که پژوهشگران به دنبال یافتن راه حلی برای آن هستند، چنین شرح داده شده است:

«از سال 1970 تاکنون، ماسفت‌ها در تمامی وسائل الکترونیکی پیرامون ما به کار می‌روند. با این حال در راستای برآورده کرده نیاز روز افزون برای افزایش چگالی ترانزیستور‌ها، کوچک سازی ماسفت‌های فعلی که امروزه استفاده می‌شوند، به دلیل محدودیت‌های ذاتی، با افزایش انرژی مورد نیاز همراه است [و این مطلوب نیست]»

پروفسور کاوستاو بانرجی، استاد الکترونیک و مهندسی کامپیو‌تر در دانشگاه سانتا باربارا، مزیت ترانزیستورهای TFET نسبت به ماسفت‌های فعلی را چنین شرح می‌دهد: 

«مقطعی که با اعمال ولتاز، ترانزیستور در آن فعال می‌شود و سویچ می‌کند، در ماسفت‌های معمولی و در دمای اتاق نمی‌تواند کمتر از 60mV/decade باشد اما در ترانزیستورهای TFET، این مقدار حدود 30mV/decade و بسیار ایده آل است»

پیش بینی می‌شود که دست آورد این تیم پژوهشگی، گام موثری در راستای دست یابی به ترانزیستورهای کم مصرف‌تر و نهایتاً تراشه‌های قدرتمند‌تر باشد. کاهش انرژی مورد نیاز ترانزیستور‌ها، امکان گنجاندن تعداد بیشتری از آن‌ها را در تراشه‌ها و  به منظور دست یابی به قدرت پردازشی بیشتر، فراهم می‌کند.

منبع: hexus


موافقین ۱ مخالفین ۰ ۹۴/۰۹/۲۳
مدیر سایت

نظرات  (۰)

هیچ نظری هنوز ثبت نشده است

ارسال نظر

ارسال نظر آزاد است، اما اگر قبلا در بیان ثبت نام کرده اید می توانید ابتدا وارد شوید.
شما میتوانید از این تگهای html استفاده کنید:
<b> یا <strong>، <em> یا <i>، <u>، <strike> یا <s>، <sup>، <sub>، <blockquote>، <code>، <pre>، <hr>، <br>، <p>، <a href="" title="">، <span style="">، <div align="">
تجدید کد امنیتی